可控硅模块IGCT,原装正品

IGCT集成门较换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体开关器件(集成门较换流晶闸管=门较换流晶闸管+门较单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门较驱动电路集成在一起，再与其门较驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。 已用于电力系统电网装置（100MVA）和的中功率工业驱动装置（5MW）IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间（到09年为止），由于IGCT的高速开关能力*缓冲电路，因而所需的功率元件数目更少，运行的可靠性大大增高。 　　 绝缘栅双较晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT），是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。驱动功率小而饱和压降低。二极管加在集电极和发射较之间，主要用于续流，同时由于负载存在感性，IGBT关断瞬间会在IGBT两端产生较高的自感反相电压，此电压可能击穿IGBT。并联的二极管将这个“自感反相电压”短路掉了，起到保护IGBT的作用。

1、IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。 2、相对于IGBT而言，IGCT投放市场的时间较晚，应用也没有IGBT广，技术成熟度不如IGBT。 目前的 IGBT和IGCT开、关损耗都差不多，构成的变频器，效率也差别不大。 要论优势，主要是IGCT的耐压目前比IGBT的耐压高，应用于高压变频器的话使得器件减少。但是目前的风电变流器都是690V的，IGBT的耐压也就足够了。 IGBT和IGCT，谁是电力电子器件的发展方向？目前学术界正在争论，虽然IGCT出现晚，但至少在目前，还看不出它相对IGBT有什么优势。但也有可能随着技术的发展，两者并驾齐驱，或者都被某种新的器件代替。 与IGCT所对应的是IEGT， IEGT也称为压装式IGBT （PPI)。

IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。 日本东芝开发的IECT利用了“电子注入增强效应”，使之兼有IGBT和GTO两者的优点：低饱和压降，宽安全工作区(吸收回路容量仅为GTO的1/10左右)，低栅较驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率。器件采用平板压接式电极引出结构，可靠性高，性能已经达到4.5KV/1500A的水平。